Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ануфриев, Л. - Совершенствование технологии мембранных МЭМС
Ануфриев, Л. - Совершенствование технологии мембранных МЭМС
Нет экз.
Статья
Автор: Ануфриев, Л.
Компоненты и технологии: Совершенствование технологии мембранных МЭМС
2013 г.
ISBN отсутствует
Автор: Ануфриев, Л.
Компоненты и технологии: Совершенствование технологии мембранных МЭМС
2013 г.
ISBN отсутствует
Статья
Ануфриев, Л.
Совершенствование технологии мембранных МЭМС / Ануфриев Л., Ковальчук Н., Ланин В. // Компоненты и технологии. – 2013. – №6. – С.50-53. - 250613. – На рус. яз.
МЭМС-технология в настоящее время является самой передовой и перспективной в области микроэлектроники. Совмещая в себе элементы полупроводниковой микроэлектроники и микромеханические элементы, МЭМС делает возможным создание полной системы на чипе. МЭМС объединяет широкий класс мембранных устройств, для которых усовершенствованы базовые технологические процессы изготовления и предложен способ формирования компенсирующего слоя. Основные методы получения МЭМС на основе кремния. Формирование компенсационного слоя диоксида кремния.
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ДАТЧИК
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = МИКРОМЕХАНИКА
Ануфриев, Л.
Совершенствование технологии мембранных МЭМС / Ануфриев Л., Ковальчук Н., Ланин В. // Компоненты и технологии. – 2013. – №6. – С.50-53. - 250613. – На рус. яз.
МЭМС-технология в настоящее время является самой передовой и перспективной в области микроэлектроники. Совмещая в себе элементы полупроводниковой микроэлектроники и микромеханические элементы, МЭМС делает возможным создание полной системы на чипе. МЭМС объединяет широкий класс мембранных устройств, для которых усовершенствованы базовые технологические процессы изготовления и предложен способ формирования компенсирующего слоя. Основные методы получения МЭМС на основе кремния. Формирование компенсационного слоя диоксида кремния.
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ДАТЧИК
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = МИКРОМЕХАНИКА