Электронный каталог

Статья

ПЛИС типа ППВМ: от 2D к 3D // Компоненты и технологии. – 2012. – №3. – С.95-104. - 121617. – На рус. яз.

Эволюционные изменения, происходящие при переходе в трассировочных ресурсах при переходе от 2D к 3D ПЛИС (программируемая логическая интегральная схема), оценка вероятного выигрыша в результате этого. Схемотехнические решения в трассировочных ресурсах и алгоритмы программирования электрических соединений - важнейшие ноу-хау разработчиков индустриальных ПЛИС. 2D индустриальные ПЛИС. 3D академические ПЛИС. 3D академические ПЛИС на основе нанотехнологий. 3D NRAM ПЛИС. 3D-мемристорные ПЛИС. Выводы: дальнейший рост логической емкости ПЛИС возможен путём использования стекирования кристаллов на основе TSVтехнологии или путём перехода к новейшим достижениям нанотехнологии: нанотрубки в качестве реконфигурационной памяти ПЛИС или нанокоммутаторы (мемристорные структуры) в маршрутизаторах и соединительных блоках.


Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = НОУ-ХАУ
Ключевые слова = НАНОТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = СХЕМОТЕХНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ПРОГРАММИРОВАНИЕ
Ключевые слова = НАНОУСЛУГИ