Электронный каталог

Статья

GaN-транзисторы с вертикальной структурой: эффективные решения для силовой электроники // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2017. – №2. – С.92-96. - 490421. – На рус. яз.

Полупроводниковые силовые устройства - ключевой компонент энергетической инфраструктуры. Важные характеристики силовых переключающих устройств, способные удовлетворить возрастающие требования к энергоэффективности. Востребованность промышленностью устройств, основанных на широкозонных полупроводниках: нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), превосходящих по ключевым характеристикам кремниевые устройства (Si). Оценка потенциала обоих материалов с применением различных показателей качества. GaN-транзистор традиционной конфигурации с продольной и вертикальной структурами. Разработки компании Qorvo - мирового лидера в производстве СВЧ-устройств. Структура, созданная на основе технологии PolarMOS. Повышение востребованности таких устройств, объясняемой их способностью удовлетворить потребность в недорогих переключателях с высоким КПД, обеспечивающих снижение энергопотребления и ускорение разработки альтернативных источников энергии.


Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОЭНЕРГИЯ
Ключевые слова = ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ
Ключевые слова = ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЕ
Ключевые слова = ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ
Ключевые слова = ГЕНЕРАЦИЯ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = КОЭФФИЦИЕНТ ПОЛЕЗНОГО ДЕЙСТВИЯ
Ключевые слова = СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА