Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Макушин, М. - Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы. По материалам международных...
Макушин, М. - Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы. По материалам международных...
Нет экз.
Статья
Автор: Макушин, М.
Электроника: наука, технология, бизнес: Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы. По материалам международных... : Части 1-2
2017 г.
ISBN отсутствует
Автор: Макушин, М.
Электроника: наука, технология, бизнес: Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы. По материалам международных... : Части 1-2
2017 г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Макушин, М.
Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы. По материалам международных форумов: Части 1-2 / Макушин М., Мартынов В. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2017. – №2. – С.110-118; № 3. - С.138-145. - 490424. – На рус. яз.
Пять областей конечного применения полупроводниковой продукции, которые будут способствовать росту продаж: Интернет вещей, автомобильная электроника, мобильные сети 5-го поколения (5G), расширенная и виртуальная реальность, искусственный интеллект. Тенденции развития микроэлектроники по итогам 2016 г. и прогнозы. Оценка темпов роста доходов от продаж интегральных схем (ИС) и оборудования. Переход на пластины 450 мм. Вопросы применения кремния на технологическом уровне менее 11/9 нм, использования новых приборных структур (FinNET, FD-SOI) и приборов (STT-MRAM), EUV-литографии и перспективных материалов. Перспективы развития FinNET, один из способов продления его использования - реинжиниринг. Технология FD-SOI на малых топологиях. Нанопроволоки. Маршрутная карта повышения производительности энергоэффективности: приборные архитектуры. Маршрутная карта развития микроэлектронных технологий от Silicon Catalyst до топологии 5 нм и менее. Вертикальные структуры. Результаты поиска новых приборных структур и материалов, пригодных для 5/7-нм технологий. Перспективная технология магниторезисторной памяти. EUV-литография с высокой числовой апертурой. Новые материалы. Освоение технологии магниторезистивной памяти на эффекте вращения спина (STT-MRAM). EUV-литография с высокой числовой апертурой, планы производственного освоения. Перспективные материалы. Дихалькогениды на основе переходных материалов. За пределами возможностей графена. Физика электронов.
Ключевые слова = ДОХОДЫ
Ключевые слова = ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Ключевые слова = НОВЫЙ ПРОДУКТ
Ключевые слова = ОБОРУДОВАНИЕ
Ключевые слова = ОЦЕНКА
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Макушин, М.
Микроэлектроника на современном этапе: тенденции развития и прогнозы. По материалам международных форумов: Части 1-2 / Макушин М., Мартынов В. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2017. – №2. – С.110-118; № 3. - С.138-145. - 490424. – На рус. яз.
Пять областей конечного применения полупроводниковой продукции, которые будут способствовать росту продаж: Интернет вещей, автомобильная электроника, мобильные сети 5-го поколения (5G), расширенная и виртуальная реальность, искусственный интеллект. Тенденции развития микроэлектроники по итогам 2016 г. и прогнозы. Оценка темпов роста доходов от продаж интегральных схем (ИС) и оборудования. Переход на пластины 450 мм. Вопросы применения кремния на технологическом уровне менее 11/9 нм, использования новых приборных структур (FinNET, FD-SOI) и приборов (STT-MRAM), EUV-литографии и перспективных материалов. Перспективы развития FinNET, один из способов продления его использования - реинжиниринг. Технология FD-SOI на малых топологиях. Нанопроволоки. Маршрутная карта повышения производительности энергоэффективности: приборные архитектуры. Маршрутная карта развития микроэлектронных технологий от Silicon Catalyst до топологии 5 нм и менее. Вертикальные структуры. Результаты поиска новых приборных структур и материалов, пригодных для 5/7-нм технологий. Перспективная технология магниторезисторной памяти. EUV-литография с высокой числовой апертурой. Новые материалы. Освоение технологии магниторезистивной памяти на эффекте вращения спина (STT-MRAM). EUV-литография с высокой числовой апертурой, планы производственного освоения. Перспективные материалы. Дихалькогениды на основе переходных материалов. За пределами возможностей графена. Физика электронов.
Ключевые слова = ДОХОДЫ
Ключевые слова = ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Ключевые слова = НОВЫЙ ПРОДУКТ
Ключевые слова = ОБОРУДОВАНИЕ
Ключевые слова = ОЦЕНКА
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
