Электронный каталог

Статья

Туркин, А.
Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ / Туркин А. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2018. – №6. – С.70-73. - 516979. – На рус. яз.

Полупроводниковые приборы на основе нитридов элементов III группы Периодической системы, находящие всё более широкое применение в электронике. Физические свойства гетероструктуры на базе нитрида галлия (GaN) и его твёрдых растворов, обеспечивающие приборам на их основе оптические, мощностные и частотные характеристики, позволяющие использовать их в разных областях. Наиболее перспективные из них - оптоэлектроника, силовая электроника и сверхвысокочастотная (СВЧ) электроника. Обзор работ российских авторов по применению GaN-гетероструктур и приборов на их основе в СВЧ-электронике.


Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ХИМИЧЕСКИЕ ВЕЩЕСТВА
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ЭЛЕМЕНТ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = МАШИНОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ГЕТЕРОГЕННОСТЬ
Ключевые слова = СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ПЕРЕДОВЫЕ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ (ТЕХНЕТ)