Электронный каталог

rus
НТБ Минпромторга России
Режим работы
Контактная информация

Поиск :

  • Поиск
  • Поиск одной строкой
  • Помощь

  • Разделы фонда

  • Книги по ТЯЖЕЛОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
  • Книги 2022
  • Книги 2023
  • Книги 2024
  • Ретрофонд
  • Статьи из информационных обзоров за 2023
  • Статьи из информационных обзоров за 2024

  • Справочники

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Дерево рубрик

  • Статистика поисков
  • Статистика справок

Личный кабинет :


Самозапись

Электронный каталог: Макушин, М. - Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития

Макушин, М. - Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития

Нет экз.
Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития
Статья
Автор:
Макушин, М.
Электроника: наука, технология, бизнес: Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития
2020 г.
ISBN отсутствует

На полку На полку


Статья

Макушин, М.
Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития / Макушин М. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2020. – №8. – С.46-58. - 551799. – На рус. яз.

Дальнейшее развитие силовой электроники, связанное с совершенствованием мощных полупроводниковых приборов. Практическое исчерпание возможностей традиционной кремниевой технологии, связь дальнейших перспектив с приборами на основе карбида кремния (SiС) и нитрида галлия (GaN). Перспективы развития SiС-приборов: оценка корпорации UnitedSiС. SiС FET-каскады позволяют формировать WBG-модули. Современное применение SiС FET. Основные характеристики SiС FET и тенденции их эволюции. Будущее SiС FET. Перспективы развития GaN-приборов: точка зрения корпорации ЕРС. За пределы дискретных силовых каскадов. Продолжение эволюции GaN мощных компонентов. Динамика и прогноз технологии встраиваемых GaN-приборов от дискретных до полностью интегрированных решений. Вертикальные GaN-приборы корпорации NexGen Power Systems - следующее поколение силовой электроники. Преимущества гомоэпитаксиально выращенной структуры. Обзор рынка мощных GaN- и SiС-приборов. Мощные SiС-приборы. Общая ситуация в области SiС мощных полупроводниковых приборов. Долгосрочный прогноз развития рынка мощных SiС-приборов, 2000-2030 гг. Прогноз структуры продаж мощных SiС-приборов по конечному потреблению, 2019-2024 гг. Факты, свидетельствующие о развитии услуг кремниевых заводов на рынке SiC-приборов. Мир SiC IDM. Модель fabless-foundry. Прогноз структуры рынка мощных GaN-приборов, 2018-2025 гг. Долгосрочная эволюция рынка мощных GaN-приборов.


Ключевые слова = ЗАРУБЕЖНЫЕ СТРАНЫ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = БИЗНЕС-МОДЕЛЬ
Ключевые слова = ИНОСТРАННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ (КОМПАНИЯ)
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = РЫНОК
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = ПРЕДПРИЯТИЕ
Ключевые слова = ПОТРЕБЛЕНИЕ
Ключевые слова = ЭВОЛЮЦИЯ
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА


Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Электроника: наука, технология, бизнес
Нет экз.
Выпуск

Электроника: наука, технология, бизнес №8
2020 г.
ISBN отсутствует
ФБУ НТБ Минпромторга России : Иркутская


На полку На полку


© Все права защищены ЗАО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20