Электронный каталог

Статья

Искусственная нейронная сеть на основе мемристорных устройств для двунаправленного алаптивного нейроинтерфейса // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2020. – №9. – С.86-95. - 552611. – На рус. яз.

Масштабные НИОКР в области создания нейроморфных устройств, проводимые в настоящее время по всему миру. Наиболее перспективный подход, по мнению ведущих исследователей, - использование мемристорных устройств, которые адаптивно меняют своё сопротивление в зависимости от предыстории приложения напряжения или пропускания тока и по этой причине естественным образом подходят на роль искусственных синапсов. Следующий шаг на пути к нейрогибридным системам, становящийся возможным благодаря активному развитию этого направления, аналогии в принципах построения нейросетевых архитектур и живых сетей мозга, - создание интерфейса между искусственными мемристивными и живыми системами для решения актуальных задач робототехники, искусственного интеллекта и медицины. Представление проекта искусственной нейронной сети на основе мемристоров (ИНСМ), являющейся важнейшим компонентом для создания энергоэффективных, биоподобных и биосовместимых двунаправленных адаптивных нейроинтерфейсов. В основе ИНСМ - применение мемристивных материалов и устройств нового поколения. Использование для проектирования ИНСМ современных методов и средств системного анализа и имитационного моделирования, позволяющих создавать системы с заданными свойствами и характеристиками.


Ключевые слова = ЗАРУБЕЖНЫЕ СТРАНЫ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = НЕЙРОСЕТЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ
Ключевые слова = НИОКР