Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Черепанов, И. - Цифровые ИС: перспективы развития схем памяти и их применение в системах ИИ
Черепанов, И. - Цифровые ИС: перспективы развития схем памяти и их применение в системах ИИ
Нет экз.
Статья
Автор: Черепанов, И.
Электроника: наука, технология, бизнес (электронная версия): Цифровые ИС: перспективы развития схем памяти и их применение в системах ИИ
2022 г.
ISBN отсутствует
Автор: Черепанов, И.
Электроника: наука, технология, бизнес (электронная версия): Цифровые ИС: перспективы развития схем памяти и их применение в системах ИИ
2022 г.
ISBN отсутствует
Статья
Черепанов, И.
Цифровые ИС: перспективы развития схем памяти и их применение в системах ИИ / Черепанов И., Макушин М. // Электроника: наука, технология, бизнес (электронная версия). – 2022. – №4. – С.76-88. - 584052. – На рус. яз.
Динамичное развитие сектора схем памяти. Появление новых типов приборов, совершенствование уже устоявшихся. Освоение подходов 3D-интеграции, в том числе создания приборов, сочетающих этажерки памяти и слои логических приборов, процессорных ядер и т. п. Это, в свою очередь, существенно расширяет возможности конечных электронных систем, открывает новые области их использования. Соответственно, возникают новые возможности ускорения процесса цифровизации. Прогноз развития перспективных схем памяти. Отгрузки автономных ИС ЗУ по емкости памяти в период 2019-2031 гг. Некоторые аспекты развития 3D-флешпамяти NAND-типа. Темы докладов по 3D-флеш-памяти NAND-типа на ISSCC-2022. Общие тенденции развития 3D-флеш-памяти NAND-типа Переход к трехмерности увеличивает емкость и снижает издержки. От плавающих затворов к ловушкам заряда. Направление развития - увеличение удельной плотности памяти. Вертикальное масштабирование шага. Проблемы развития технологии 3D-флеш-памяти с точки зрения поставщиков материалов и оборудования. Решение проблем интеграции и материалов 3D-флеш-памяти NAND-типа при увеличении числа слоев до 192 и более. Доклады различных фирм/организаций по ДОЗУ на ISSCC-2022. Некоторые перспективы развития ДОЗУ. Развитие технологии DDR5. 3D не только для флеш-памяти NAND-типа. Перспективная память с высокой пропускной способностью. Память с высокой пропускной способностью корпорации SK Hynix разных поколений. Вопросы применения ИС ЗУ в модулях /системах с ИИ. Проблема "стены памяти" в эпоху искусственного интеллекта. Сопоставление систем на основе ЦП-ДОЗУ и "Логики-на-ДОЗУ" по пропускной способности, энергоэффективности и удельной эффективности площади. Сопоставление систем на основе ЦП-ДОЗУ и "Логики-на-ДОЗУ" по проектным нормам, частоте, площади и потребляемой мощности.
Ключевые слова = ИНТЕГРАЦИЯ
Ключевые слова = ЦИФРОВАЯ СХЕМА
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ
Ключевые слова = РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ИСПОЛЬЗОВАНИЕ
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКОЕ ОСНАЩЕНИЕ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ПРОБЛЕМА
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ключевые слова = ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
Ключевые слова = ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ ПРОДУКТ
Ключевые слова = НАУКОЕМКАЯ ПРОДУКЦИЯ
Ключевые слова = ЦИФРОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ПАМЯТЬ
Ключевые слова = 3D-ПЕЧАТЬ (АДДИТИВНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ)
Ключевые слова = ЦИФРОВИЗАЦИЯ
Ключевые слова = Статьи из периодических изданий. 2022 год.
Черепанов, И.
Цифровые ИС: перспективы развития схем памяти и их применение в системах ИИ / Черепанов И., Макушин М. // Электроника: наука, технология, бизнес (электронная версия). – 2022. – №4. – С.76-88. - 584052. – На рус. яз.
Динамичное развитие сектора схем памяти. Появление новых типов приборов, совершенствование уже устоявшихся. Освоение подходов 3D-интеграции, в том числе создания приборов, сочетающих этажерки памяти и слои логических приборов, процессорных ядер и т. п. Это, в свою очередь, существенно расширяет возможности конечных электронных систем, открывает новые области их использования. Соответственно, возникают новые возможности ускорения процесса цифровизации. Прогноз развития перспективных схем памяти. Отгрузки автономных ИС ЗУ по емкости памяти в период 2019-2031 гг. Некоторые аспекты развития 3D-флешпамяти NAND-типа. Темы докладов по 3D-флеш-памяти NAND-типа на ISSCC-2022. Общие тенденции развития 3D-флеш-памяти NAND-типа Переход к трехмерности увеличивает емкость и снижает издержки. От плавающих затворов к ловушкам заряда. Направление развития - увеличение удельной плотности памяти. Вертикальное масштабирование шага. Проблемы развития технологии 3D-флеш-памяти с точки зрения поставщиков материалов и оборудования. Решение проблем интеграции и материалов 3D-флеш-памяти NAND-типа при увеличении числа слоев до 192 и более. Доклады различных фирм/организаций по ДОЗУ на ISSCC-2022. Некоторые перспективы развития ДОЗУ. Развитие технологии DDR5. 3D не только для флеш-памяти NAND-типа. Перспективная память с высокой пропускной способностью. Память с высокой пропускной способностью корпорации SK Hynix разных поколений. Вопросы применения ИС ЗУ в модулях /системах с ИИ. Проблема "стены памяти" в эпоху искусственного интеллекта. Сопоставление систем на основе ЦП-ДОЗУ и "Логики-на-ДОЗУ" по пропускной способности, энергоэффективности и удельной эффективности площади. Сопоставление систем на основе ЦП-ДОЗУ и "Логики-на-ДОЗУ" по проектным нормам, частоте, площади и потребляемой мощности.
Ключевые слова = ИНТЕГРАЦИЯ
Ключевые слова = ЦИФРОВАЯ СХЕМА
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ
Ключевые слова = РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ИСПОЛЬЗОВАНИЕ
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКОЕ ОСНАЩЕНИЕ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ПРОБЛЕМА
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ключевые слова = ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
Ключевые слова = ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ ПРОДУКТ
Ключевые слова = НАУКОЕМКАЯ ПРОДУКЦИЯ
Ключевые слова = ЦИФРОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ПАМЯТЬ
Ключевые слова = 3D-ПЕЧАТЬ (АДДИТИВНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ)
Ключевые слова = ЦИФРОВИЗАЦИЯ
Ключевые слова = Статьи из периодических изданий. 2022 год.