Электронный каталог

Статья

LDMOS: новые разработки АО "НИИЭТ" // Электроника: наука, технология, бизнес (электронная версия). – 2023. – №2. – С.92-96. - 595027. – На рус. яз.

Осенью 2022 года АО "НИИЭТ" - один из лидеров среди отечественных разработчиков и производителей интегральных схем и полупроводниковых приборов - приступило к созданию двух новых транзисторов по кремниевой технологии LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor - металл-оксидполупроводник с боковой диффузией). Основная область применения новых приборов - усилители телевизионных сигналов, однако их передовые характеристики позволят улучшить с их помощью параметры аппаратуры и в других областях. Усовершенствования в технологии и конструкции СВЧ-кристаллов. Усовершенствованная LDD-область (Lightly Doped Drain - слаболегированный сток). Новая система полевых электродов. Совершенствование многоуровневой металлизации. Снижение теплового сопротивления. Значения электрических параметров транзисторов при приемке и поставке.


Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = ПРЕДПРИЯТИЕ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
Ключевые слова = СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = КОНСТРУКЦИЯ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = Статьи из периодических изданий. 2023 год.