Электронный каталог

Статья

Кулиш, А.М.
Проектирование малошумящего усилителя с байпас-каналом X-диапазона частот с использованием библиотеки элементов технологического процесса 0,5 мкм GaAs-pHEMT / А.М. Кулиш, В.В. Лосев // Известия высших учебных заведений. Электроника (электронная версия). – 2025. – Т. 30 № 1. – С.64-75: граф., ил., табл.

Процедура проектирования монолитной интегральной схемы малошумящего усилителя с байпас-каналом X-диапазона частот с использованием библиотеки моделей элементов технологического процесса GA05-D-L-01, основанный на применении GaAs-pHEMT-транзисторов с длиной затвора 0,5 мкм. Описаны особенности работы монолитной интегральной схемы.



Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова РП = транзистор
Ключевые слова РП = усилитель малошумящий
Ключевые слова РП = байпас-канал